Tugas 3 Elektronika Daya

1. What is BJT ?

 Jawab:

BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT daoat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C) dan basis (B).

2. What is the type of BJT ?

Jawab:

Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan base-kolektor (base-collector junction).

3. What is the differences between npn and pnp transistor ?

Jawab:

NPN>>

Prinsip kerja dari transistor NPN adalah: arus akan mengalir dari kolektor ke emitor jika basisnya dihubungkan ke ground (negatif). Arus yang mengalir dari basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor, oleh sebab itu maka ada baiknya jika pada pin basis dipasang sebuah resistor.

PNP>>

Prinsip kerja dari transistor PNP adalah arus akan mengalir dari emitter menuju ke kolektor jika pada pin basis dihubungkan ke sumber tegangan (diberi logika 1). Arus yang mengalir ke basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari emitor ke kolektor, oleh sebab itu maka ada baiknya jika pada pin basis dipasang sebuah resistor.

5. What are the three regions of operation for  BJT ?

Jawab:

Cut-off

Transistor menjadi kondisi off, I_C=0. Daerah dimana V_CE masih cukup kecil sehingga arus I_C=o atau I_B=0.

• Active

Transistor beroperasi sebagai penguat dan I_C=β x I_B. Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus I_C konstan terhadap berapapun nilai V_CE. I_C sangat bergantung pada besar arus I_B. Daerah kerja ini biasa disebut daerah liniear.

• Saturation

Transistor menjadi kondisi on, I_C=I_SAT. Daerah saturasi mulai dari V_CE=0-0,7volt (transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama seperti dioda.

6. What is the β of BJT ?

Jawab:

β= Iβ/Ic

Beta (β) didefinisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis. Yang artinya β adalah parameter yang menunjukan kemampuan penguatan arus (current gain) dari suatu transistor.

7. What is the differences between β and β force ?

Jawab:

beta (β) didefinisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis. β force  ini terjadi saat saturasi karena arus kolektor hampir tetap konstan. Sehingga beta forced merupakan perbandingan arus kolektor dengan arus basis.

8. What is transconductance of BJT ?

Jawab:

transconductance, g_m, didefinisikan sebagai perubahan arus kolektor dibagi dengan perubahan tegangan basis-emitor.

9. What is ODF ?

Jawab:

ODF(overdrive factor). Faktor overdrive adalah perbandingan dari arus basis dengan arus di ujung saturasi.

10.What is MOSFET ?

Jawab:

MOSFET (Metal-oxide semiconductor FET) merupakan transistor yang memiliki kaki drain, source dan gate. Namun pada kaki gate terisolasi suatu bahan oksida yang terbuat dari bahan metal aluminium.

11. What is the types of MOSFET ?

Jawab:

Depletion mode & enhancement mode

12. What is the switching model of and chanel MOSFET ?

Jawab:

Pada umumnya transistor mosfet digunakan sebagai saklar. Pada mosfet enhancement-mode atau biasa disebut e-mosfet. Parameter yang penting pada transistor e-mosfet adalah resistansi drain source. Biasanya yang tercantum pada data sheet ialah resistansi saat transistor ON. Resistansi itu yang disebut dengan R_DS(ON). Untuk aplikasi power switching, semakin kecil R_DS(ON) maka semakin baik transistor tsb. Karena akan memperkecil rugi-rugi disipasi daya dalam bentuk panas dan parameter arus drain I_D(MAX) dan disipasi daya maksimum P_D(MAX). Pada transistor mosfet depletion mode dapat bekerja on mulai dari V_GS negatif sampai positif

 Mosfet dapat berfungsi sebagai saklar, dengan ketentuan saklar akan on ketika

V_GS≥V_TH dan V_DD≥V_TH.

V_TH merupakan V treshold dimana mosfet mulai bekerja.

13. What is IGBT ?

Jawab:

IGBT (insulated gate bipolar transistor)  adalah semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya.

14. What is the purpose the shunt and series snubber in transistor ?

Jawab:

1. Snubber pada transistor
   • Semakin besar ukuran kapasitor pada snubber, kerugian daya pada suatu transistor akan semakin kecil namun akan semakin besar daya serap oleh resistor pada snubber.
   • Mengurangi total kerugian switching dan kerugian pada transistor
   • Mengurangi nilai tegangan dan arus yang tinggi pada transistor
2. Shunt pada transistor